BD SENSORS硅传感器18.600 G

硅传感器，是用于军事与航空航天、工业和汽车应用。基本原理是利用半导体的压阻效应和微机械加工技术，在单晶硅片的特定晶向上，用光刻、扩散等半导体工艺制做一惠斯登电桥，形成敏感膜片，当受到外力作用时产生微应变，电阻率发生变化，使桥臂电阻发生变化（一对变大一对变小）在激励电压信号输出，经过计算机温度补偿、激光调阻、信号放大等处理手段和严格的装配检测、标定等工艺，生产出具有标准输出信号的压力变送器。基于不同的传感器技术，结合不锈钢和各种塑料外壳材料，工业变送器几乎适用于所有工业气体和流体。通过各种电气和机械连接，我们的工业压力变送器几乎适用于任何应用。

公称压力 0 至 100 毫巴至 0 至 6 bar

精度 0.5 % FSO

硅传感器，无介质隔离

输出信号 / 电源选项 3 线制：0 至 10 V / V_S = 14 至 30 V_DC

产地：德国

输入压力范围

额定压力表 [巴]：-1 至 0；0,1；0,25；0,4；0,6；1；1,6；2,5；4；6

超压 [bar]：3；0,5；1；1；3；3；6；10；10；20

爆破压力 [bar]：5；1,5；3；3；3；7,5；7,5；15；25；25

输出信号 / 电源标准 2 线制：4 至 20 mA / V_S = 8 至 32 V_DC

3 线制比率测量：10 至 V_S 的 90 % / V_S = 2.7 至 5 V_DC

精度：≤ ± 0.5 % FSO

允许负载

2 线制：R_max = [(V_S - V_{S min}) / 0.02 A] Ω

3 线：R_min = 10 kΩ

影响效应

电源：0.05 % FSO / 10 V

负载：0.05 % FSO / kΩ

响应时间

2 线：≤ 10 毫秒

3 线：≤ 3 毫秒

长期稳定性：≤ ± 0,2 % FSO / 年

测量速率：1 kHz

热效应（偏移和跨度）

标称压力 pN [bar]：-1 至 0；≤ 0.4；> 0.4

公差带 [% FSO]： ≤ ± 1；≤ ± 1；≤ ± 0.75

补偿范围：0 至 70 ℃；-20 至 85 ℃

允许温度：-25 至 125 ℃

电子设备/环境：-25 至 85 ℃

存储温度：-40 至 85 ℃

短路保护：长久性

反极性保护：无损坏，但也无功能

电磁兼容性：发射和抗扰性符合 EN 61326 标准

机械稳定性

振动：10 g, 25 Hz 至 2 kHz，符合 DIN EN 60068-2-6 标准

冲击：100 克 / 11 毫秒，符合 DIN EN 60068-2-27 标准

压缩空气网络、一般机械工程