BD SENSORS硅传感器iS 4

利用半导体的压阻效应和微机械加工技术，在单晶硅片的特定晶向上，用光刻、扩散等半导体工艺制做一惠斯登电桥，形成敏感膜片，当受到外力作用时产生微应变，电阻率发生变化，使桥臂电阻发生变化（一对变大一对变小）在激励电压信号输出，经过计算机温度补偿、激光调阻、信号放大等处理手段和严格的装配检测、标定等工艺，生产出具有标准输出信号的压力变送器

公称压力 0 至 10 巴

符合 V 1.1 规范的 IO-Link

精度 0.5 % FSO

硅传感器，RTV

结构紧凑

产地：德国

输入压力范围

额定压力表：10 bar

超压：13 bar

输出信号 / 电源

标准 IO-Link（测量值和状态传输）/ V_S = 18 至 30 VDC

SIO（开关输出），通过 LED 指示状态（绿色）

IO-Link：V 1.1 / 从站 / 智能传感器配置文件

数据传输：COM2 38.4 kbit/s

模式：SIO / IO-Link (COMx)

标准：IEC 61131-2、IEC 61131-9

精度：≤ ± 0.5 % FSO

开关电流（SIO 模式）：max. 200 mA

开关频率：max. 200 Hz

开关周期：> 100 x 10⁶

长期稳定性：≤ ± 0.3 % FSO /年（参考条件下

开启时间 SIO 模式：约. 20 ms

响应时间 SIO 模式：< 4 ms

测量速率：400 Hz

热效应（偏移和跨度）/允许温度

公差带：≤ ± 2 % FSO

TC，平均值：≤ ± 0.4 % FSO / 10 K

补偿温度范围：0 至 50 °C

中 / 电子 / 环境温度：-25 至 85 °C

存储温度：-40 至 85 °C

电气保护

短路保护：长久性

反极性保护：无损坏，但也无功能

电磁兼容性：发射和抗扰性符合 EN 61326 标准

机械与设备工程、暖通空调